HP2000E 外量子效率光電性能分析儀

HP2000E 外量子效率光電性能分析儀(yi) ，主要參數：色溫、光通量、顯色指數、色容差、輻射功率、坐標、紅色比、藍色比、綠色比、電流、電壓、功率、功率因素、光效。

HP2000E 外量子效率光電性能分析儀(yi)

EQE（External Quantum Efficiency）的測量中，核心是分子部分“單位時間內(nei) 出射到空間的光子數"的測量。現在高精度的測量方法主要有兩(liang) 種：

1）光分布法

2）積分球法

光分布法

之前許多用戶可能會(hui) 采用通過亮度計測量法線方向的亮度，以及通過標準朗伯體(ti) 分布理論計算得到器件的EQE值。這是比較常見的、傳(chuan) 統的測量方式，但其實存在很大的缺陷。由於(yu) 實際中器件的朗伯體(ti) 分布並非標準的餘(yu) 弦分布，會(hui) 有部分分布不均的現象，此時通過理論計算的結果會(hui) 非常不準確。而光分布法就可以解決(jue) 這個(ge) 問題，下圖便是很好的說明：

積分球法

第二種EQE的測量方法是通過積分球配件，將器件的整體(ti) 光通量收集，並通過計算得到器件的EQE。該方法又有兩(liang) 種測量方案，一種是將器件至於(yu) 積分球球壁上，僅(jin) 測量器件的前向通量，稱為(wei) 2π法；一種是將器件置於(yu) 積分球內(nei) 部，測量器件的整體(ti) 通量，稱為(wei) 4π法。

積分球法簡單快捷有效，但是器件本身的基底反射對於(yu) 積分球的工作會(hui) 有一定的影響

電致發光器件的另一個(ge) 重要性能電流-電壓-亮度（IVL）。

電流參數（電流、電流密度等）隨電壓參數的變化曲線反映了器件的電學性質。亮度隨電壓參數的變化曲線反映了器件的光學性質。這類電學和光學參數之間的關(guan) 係統稱為(wei) IVL（電流-電壓-亮度）關(guan) 係，對於(yu) 電致發光器件也非常重要。

通常情況下，IVL關(guan) 係的測量需要多套電學測量係統和光學測量係統分別測量，測量全部的參數非常繁瑣。通過軟件整合電流源和光譜探測器的功能，C9920-11/12可以測量電流、電流密度、電壓、電流效率、功率效率、發射光譜、色度等一係列參數，並且逐一對應，形成關(guan) 係曲線，將測量操作化繁為(wei) 簡。